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              Shinkuu噴金儀金靶 ?51×0.1t資料介紹

              發(fā)布時間:2025-04-22 點擊量:1528

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              1. 產(chǎn)品概述

              材質(zhì):高純金(Au ≥ 99.99%)
              尺寸:?51 mm × 厚度 0.1 mm(可定制其他規(guī)格)
              適用設(shè)備:Shinkuu系列噴金儀(兼容多數(shù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng))
              主要用途:SEM樣品導(dǎo)電鍍層、EBSD分析增強(qiáng)、光學(xué)反射膜制備等。

              2. 關(guān)鍵性能參數(shù)

              項目技術(shù)指標(biāo)
              純度≥99.99%(4N級,ICP-MS認(rèn)證)
              密度19.32 g/cm3(理論值)
              晶粒尺寸≤100 nm(XRD分析)
              表面粗糙度 (Ra)≤0.2 μm(AFM測試)
              電阻率≤2.2 μΩ·cm(4點探針法)
              濺射速率80-120 ?/min(DC 30W, Ar 15sccm)
              推薦工作氣壓0.5-3 Pa(高純Ar環(huán)境)

              3. 產(chǎn)品優(yōu)勢

              ? 超高純度:極低雜質(zhì)含量(Fe、Cu等<10ppm),確保鍍膜無污染。
              ? 超薄設(shè)計:0.1mm厚度優(yōu)化濺射效率,減少熱應(yīng)力導(dǎo)致的靶材變形。
              ? 均勻成膜:磁控濺射后膜厚偏差≤±5%(旋轉(zhuǎn)樣品臺條件下)。
              ? 長壽命:典型使用壽命≥6小時(30W DC濺射條件)。
              ? 兼容性廣:適用于SEM、FIB-SEM、TEM樣品制備及XRF校準(zhǔn)。

              4. 典型應(yīng)用

              (1)SEM樣品導(dǎo)電鍍層

              • 推薦膜厚:5-15 nm

              • 效果:消除荷電效應(yīng),提升二次電子信號3-5倍。

              (2)EBSD分析增強(qiáng)

              • 推薦膜厚:3-8 nm

              • 效果:減少背景噪聲,提高衍射信號信噪比。

              (3)光學(xué)反射膜

              • 推薦膜厚:50-200 nm

              • 效果:可見光區(qū)反射率≥95%(λ=550 nm)。

              5. 操作指南

              (1)安裝與存儲

              • 安裝:使用無塵手套操作,確保靶材與陰極接觸良好。

              • 存儲:干燥氮氣柜(RH<30%),避免氧化。

              (2)濺射參數(shù)推薦(DC磁控濺射)

              plaintext
              復(fù)制
              下載
              功率:20-40 W  
              濺射時間:30-180 s(視膜厚需求調(diào)整)  
              工作氣壓:0.5-2 Pa(高純Ar,99.999%)  
              基板溫度:室溫(可選冷卻至-10℃以降低熱影響)  
              靶基距:50-80 mm

              (3)維護(hù)與更換

              • 壽命終點判斷:

                • 濺射速率下降>20%

                • 鍍膜出現(xiàn)明顯不均勻或雜質(zhì)

              • 廢棄處理:按貴金屬廢料回收(不可隨意丟棄)。

              6. 質(zhì)量控制與認(rèn)證

              • 批次檢測報告:提供XRD晶相分析、ICP-MS成分檢測、AFM表面形貌數(shù)據(jù)。

              • 兼容標(biāo)準(zhǔn):符合ISO 9001、ASTM F76等國際規(guī)范。

              7. 注意事項

              ? 真空要求:本底真空≤5×10?3 Pa,避免殘留氣體污染。
              ? 避免過熱:連續(xù)濺射時建議間歇冷卻,防止靶材熱裂。
              ? 安全防護(hù):濺射過程中避免直接觀察等離子體,佩戴防護(hù)眼鏡。

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