fujikoshiSiC晶圓高速拋光技術(shù)開發(fā)

fujikoshiSiC晶圓高速拋光技術(shù)開發(fā)

不二越機(jī)械與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和瑞穗株式會(huì)社合作，開發(fā)了一種可高速平坦化 SiC 晶圓的包裹技術(shù)。特別是，在過去速度較慢的鏡面拋光工藝中，我們實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)方法快12倍的拋光速度，并建立了可與板材加工的鏡面拋光工藝相媲美的新型批量式加工技術(shù)。

該技術(shù)是在本公司的高速旋轉(zhuǎn)研磨裝置“SLM-140H"上使用瑞穗株式會(huì)社的高速旋轉(zhuǎn)對(duì)應(yīng)砂輪平臺(tái)“SHINE LAP PLATE Type HS"的固定磨料研磨技術(shù)。與使用漿料的傳統(tǒng)拋光不同，拋光可以僅使用水作為加工液進(jìn)行，從而減少了對(duì)環(huán)境的影響。它還可以抑制高速拋光中因離心力和摩擦熱導(dǎo)致的溫度升高而導(dǎo)致的漿料飛散。在SiC晶圓的量產(chǎn)過程中，可以實(shí)現(xiàn)高速化和低成本化。

我們目前正在開發(fā)用于批量生產(chǎn)的高速旋轉(zhuǎn)拋光設(shè)備。

拋光設(shè)備介紹

研發(fā)高速旋轉(zhuǎn)拋光裝置SLM-140H

支持難加工材料的高速拋光！

設(shè)備概覽

●支持平臺(tái)轉(zhuǎn)速最高1000[rpm]。

●支持藍(lán)寶石、SiC、GaN等各種材料的研磨到拋光加工。

●拋光方式為1盤1頭（最大4英寸）。

●配備監(jiān)測(cè)拋光過程中摩擦系數(shù)的功能。

●配備各種傳感器的數(shù)據(jù)記錄功能。

●配備防漿料飛散蓋。