運用在半導體行業的手動無損（渦流法）電阻檢測技術
半導體技術的發展,決定了測試技術需要不斷的提高與創新。傳統的四探針法表現出很多不足,這一現實決定了必須尋求其他方法以彌補這些不足。本文對渦流法用于半導體測試方面進行了研究。本次設計采用實驗和計算機數值模擬相結合的方法,對電渦流傳感器的性能進行了計算機輔助分析。通過研究了激勵頻率,檢測距離以及線圈尺寸等參數對測量結果的影響,得到了600KHz的激勵頻率,0.05mm的檢測距離,3.3mm的線圈內徑和5mm的外徑等線圈參數；
只需觸摸方便的探頭即可進行電阻測量。
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用 JOG 撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的電阻測量探頭是可更換的，因此它支持廣泛的電阻范圍。
（電阻探頭：最多可使用2+PN判斷探頭）
半導體/太陽能電池材料相關（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬、ITO等）
硅-基于外延、離子注入的樣品
化合物半導體相關（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯系我們）
無論樣品大小和形狀如何都可以測量（但是，它大于 20 mmφ 并具有平坦的表面）
[電阻率] 1 m 至 200 Ω ? cm
(* 所有探頭類型的總范圍/厚度 500 um)
[薄層電阻] 10 m 至 3 k Ω / sq
(* 所有探頭類型的總范圍)
* 有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
(1) 低：0.01 至 0.5 Ω / □ (0.001 至
0.05 Ω -cm) (2) 中：0.5 至 10 Ω / □ (0.05 至 0.5 Ω-cm)
(3 ) ) 高：10 至 1000 Ω / □ ( 0.5 to 60Ω-cm)
(4) S-High: 1000 to 3000Ω/□ (60 to 200Ω-cm)
(5) Solar Wafer: 5 to 500Ω/□ (0. 2 to 15Ω-cm)
